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窄禁帶半導體物理學(精)/半導體科學與技術叢書 版權信息
- ISBN：9787030144140
- 條形碼：9787030144140 ; 978-7-03-014414-0
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
窄禁帶半導體物理學(精)/半導體科學與技術叢書 內容簡介
本書主要討論了窄帶半導體物理的基本物理性質,包括晶體生長、能帶結構、光學常數、晶格振動、自由載流子的激發和運輸、雜質缺陷、非線性光學性質、表面界面、二維電子氣超晶格和量子阱、器件物理的方面基本物質發現的現象、效應和規律，以及近年來的主要研究進展。
窄禁帶半導體物理學(精)/半導體科學與技術叢書 目錄
序
前言
第1章 概述
1.1 窄禁帶半導體
1.2 現代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術應用
參考文獻
第2章 晶體
2.1 晶體生長的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長熱力學問題
2.1.3 晶體生長動力學問題
2.1.4 相圖在晶體生長中的應用
2.1.5 分凝系數
2.1.6 凝固過程
2.2 體材料生長的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態再結晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長條件
2.3.2 液相外延的生長程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質量的幾個因素
2.4 分子束外延薄膜生長
2.4.1 分子束外延生長過程
第3章 能帶結構
第4章 光學性質
第5章 輸運性質
第6章 晶格振動
第7章 雜質缺陷
第8章 復合
第9章 表面二維電子氣
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關系表
附錄B 簡要公式
前言
第1章 概述
1.1 窄禁帶半導體
1.2 現代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術應用
參考文獻
第2章 晶體
2.1 晶體生長的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長熱力學問題
2.1.3 晶體生長動力學問題
2.1.4 相圖在晶體生長中的應用
2.1.5 分凝系數
2.1.6 凝固過程
2.2 體材料生長的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態再結晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長條件
2.3.2 液相外延的生長程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質量的幾個因素
2.4 分子束外延薄膜生長
2.4.1 分子束外延生長過程
第3章 能帶結構
第4章 光學性質
第5章 輸運性質
第6章 晶格振動
第7章 雜質缺陷
第8章 復合
第9章 表面二維電子氣
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關系表
附錄B 簡要公式
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