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硅中部分位錯演化的分子模擬 版權信息
- ISBN：9787566109392
- 條形碼：9787566109392 ; 978-7-5661-0939-2
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
硅中部分位錯演化的分子模擬 本書特色
硅是當代電子工業中應用*多的半導體材料之一。隨著微電子技術及人工能帶剪裁技術的發展，納米材料和器件得到大力發展。在硅及硅基納米器件制備和使用過程中，失配應變所產生的位錯不僅關系到材料的微納米力學性能，還影響器件的光、電、磁、熱等性能，是決定納米器件服役性能和解釋其失效機理的重要因素。王超營、武國勛、李晨亮、周躍發編著的《硅中部分位錯演化的分子模擬》以硅鍺異質結構外延生長過程中產生的部分位錯為研究背景，介紹有關其運動特性以及與其他缺陷相互作用的研究方法和結果。由于位錯屬于納米尺度的一維缺陷，傳統的實驗方法受到很大限制；而基于連續介質模型的理論研究方法，在位錯芯部分并不適用。所以本書借助基于原子尺度的分子模擬方法進行研究。
硅中部分位錯演化的分子模擬 內容簡介
本書以硅鍺異質結構外延生長過程中產生的部分位錯為研究背景, 采用分子模擬方法研究硅中部分位錯的運動特性以及與其它缺陷的相互作用。全書共分為七章, 主要內容包括: 緒論、分子模擬原理及方法簡介、30度部分位錯的運動特性等。
硅中部分位錯演化的分子模擬 目錄
第1章 緒論
1.1 硅中位錯的研究背景、目的和意義
1.2 硅鍺異質結構簡介
1.3 失配部分位錯的微觀結構
1.4 本書的主要內容
第2章 分子模擬原理及方法簡介
2.1 引言
2.2 **性原理的基本理論
2.3 緊束縛理論（TB）
2.4 分子動力學方法
2.5 *低能量路徑尋找方法
2.6 周期性邊界條件
2.7 本章小結
第3章 30度部分位錯的運動特性
3.1 引言
3.2 分子動力學參數設定
3.3 30度部分位錯的彎結模型
3.4 彎結的運動過程
3.5 彎結的遷移勢壘
3.6 結果討論
3.7 本章小結
第4章 90度部分位錯的運動特性
4.1 引言
4.2 DP結構的運動特性
4.3 SP結構的運動特性
4.4 本章小結
第5章 90度部分位錯重構缺陷的運動特性
5.1 引言
5.2 模型建立及計算過程
5.3 單周期結構中重構缺陷的運動特性
5.4 雙周期結構中重構缺陷的運動特性
5.5 重構缺陷與彎結的相互作用
5.6 本章小結
第6章 空位的**性原理及經驗勢函數的對比研究
6.1 引言
6.2 計算方法及參數設定
6.3 單空位的結構特性及形成能
6.4 雙空位的結構特性及形成能
6.5 六邊形空位環的結構特性及形成能
6.6 計算結果分析
6.7 本章小結
第7章 30度部分位錯與空位的相互作用
7.1 引言
7.2 計算方法及參數設置
7.3 分子動力學模型
7.4 30度部分位錯與單空位的相互作用
7.5 30度部分位錯與雙空位的相互作用
7.6 30度部分位錯與空位環的相互作用
7.7 30度部分位錯與空位相互作用的對比研究
7.8 本章小結
參考文獻
1.1 硅中位錯的研究背景、目的和意義
1.2 硅鍺異質結構簡介
1.3 失配部分位錯的微觀結構
1.4 本書的主要內容
第2章 分子模擬原理及方法簡介
2.1 引言
2.2 **性原理的基本理論
2.3 緊束縛理論（TB）
2.4 分子動力學方法
2.5 *低能量路徑尋找方法
2.6 周期性邊界條件
2.7 本章小結
第3章 30度部分位錯的運動特性
3.1 引言
3.2 分子動力學參數設定
3.3 30度部分位錯的彎結模型
3.4 彎結的運動過程
3.5 彎結的遷移勢壘
3.6 結果討論
3.7 本章小結
第4章 90度部分位錯的運動特性
4.1 引言
4.2 DP結構的運動特性
4.3 SP結構的運動特性
4.4 本章小結
第5章 90度部分位錯重構缺陷的運動特性
5.1 引言
5.2 模型建立及計算過程
5.3 單周期結構中重構缺陷的運動特性
5.4 雙周期結構中重構缺陷的運動特性
5.5 重構缺陷與彎結的相互作用
5.6 本章小結
第6章 空位的**性原理及經驗勢函數的對比研究
6.1 引言
6.2 計算方法及參數設定
6.3 單空位的結構特性及形成能
6.4 雙空位的結構特性及形成能
6.5 六邊形空位環的結構特性及形成能
6.6 計算結果分析
6.7 本章小結
第7章 30度部分位錯與空位的相互作用
7.1 引言
7.2 計算方法及參數設置
7.3 分子動力學模型
7.4 30度部分位錯與單空位的相互作用
7.5 30度部分位錯與雙空位的相互作用
7.6 30度部分位錯與空位環的相互作用
7.7 30度部分位錯與空位相互作用的對比研究
7.8 本章小結
參考文獻
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