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功率半導體器件及其仿真技術 版權信息
- ISBN：9787502471279
- 條形碼：9787502471279 ; 978-7-5024-7127-9
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
功率半導體器件及其仿真技術 本書特色
《功率半導體器件及其仿真技術》是在作者多年從事功率半導體器件工藝和產品開發的基礎上完成的。全書共分為五部分，即功率半導體器件的基礎、工作原理、加工工藝、設計及熱設計，其中前兩部分是功率半導體器件應用基礎，重點給出了功率半導體器件的發展歷史、目前的制作水平、未來發展趨勢和幾種常見功率器件的工作原理；后三部分主要給出了作者在工作中所使用的工藝和產品設計過程中運用的基本理論和基本技術，特別是在設計部分，作者給出了自己實際工作過程中編制計算程序的源代碼、晶閘管的設計流程和經驗參數計算等。
《功率半導體器件及其仿真技術》可為從事功率器件的研究人員提供十分有價值的設計參考。
功率半導體器件及其仿真技術 內容簡介
全書共分為五個部分，即功率半導體器件的應用及發展水平、功率半導體器件的工作原理、功率半導體器件的加工工藝和功率半導體器件經驗公式法設計、商用軟件設計及熱設計。本書可為從事功率器件的研究人員提供十分有價值的設計參考。
功率半導體器件及其仿真技術 目錄
1 功率半導體器件基礎
1．1 電力電子技術概述
1．1．1 電力電子技術發展的背景
1．1．2 電力電子技術與其他學科的關系
1．1．3 電力電子技術的發展
1．1．4 電力電子技術的應用
1．2 功率半導體器件概述
1．2．1 半導體器件的分類
1．2．2 功率半導體器件命名規則
1．2．3 功率半導體器件的發展
1．3 功率半導體器件的研制水平及主要用途
1．3．1 電力整流管
1．3．2 普通晶閘管及其派生器件
1．3．3 全控型功率半導體器件1 功率半導體器件基礎
1．1 電力電子技術概述
1．1．1 電力電子技術發展的背景
1．1．2 電力電子技術與其他學科的關系
1．1．3 電力電子技術的發展
1．1．4 電力電子技術的應用
1．2 功率半導體器件概述
1．2．1 半導體器件的分類
1．2．2 功率半導體器件命名規則
1．2．3 功率半導體器件的發展
1．3 功率半導體器件的研制水平及主要用途
1．3．1 電力整流管
1．3．2 普通晶閘管及其派生器件
1．3．3 全控型功率半導體器件
1．3．4 復合型功率半導體器件
1．4 功率半導體器件模塊
1．4．1 晶閘管和整流二極管傳統模塊
1．4．2 晶閘管智能模塊
1．4．3 IGBT模塊
1．4．4 智能功率模塊
1．4．5 用戶專用電力模塊
1．4．6 集成電力電子模塊
1．5 功率半導體器件展望
1．5．1 功率半導體器件功率變換能力的不斷提升
1．5．2 新材料功率半導體器件
1．5．3 關于現代功率半導體器件發展趨勢的幾點看法
2 功率半導體器件工作原理、特性及主要參數
2．1 功率半導體器件的工作狀態
2．1．1 功率半導體器件的工作特征
2．1．2 功率半導體器件應用系統的組成
2．2 功率二極管
2．2．1 功率二極管的工作原理
2．2．2 功率二極管的靜態和動態特性
2．2．3 功率二極管的主要參數
2．2．4 功率二極管的類型
2．3 晶閘管
2．3．1 晶閘管的結構特點
2．3．2 晶閘管的工作原理
2．3．3 晶閘管的基本特性
2．3．4 晶閘管的基本參數
2．4 功率場效應晶體管
2．4．1 結構分類
2．4．2 工作機理
2．4．3 特性分析
2．5 IGBI、的結構及特性
2．5．1 IGBq、的基本結構
2．5．2 [GBT的工作原理
2．5．3 。IGBT的工作特性
3 功率半導體器件加工工藝
3．1 功率半導體器件加工流程
3．1．1 整流二極管基本工藝流程
3．1．2 晶閘管基本工藝流程
3．1．3 燒、蒸、堅工序流程
3．1．4 硅片清洗處理
3．1．5 各工序檢查標準
3．2 擴散工序
3．2．1 一維Fick擴散方程
3．2．2 恒定擴散系數
3．2．3 擴散系數與溫度的關系
3．2．4 擴散參數
3．3 氧化工藝
3．3．1 熱氧化原理
3．3．2 氧化層的作用
3．4 歐姆電極制備
3．4．1 鋁硅、鋁片處理
3．4．2 裝模
3．4．3 不同燒結效果產生的原因
3．5 臺面工藝
3．5．1 負角結構原理
3．5．2 臺面腐蝕
3．5．3 臺面保護
4 功率半導體器件設計
4．1 晶閘管結構設計
4．1．1 晶閘管的基本結構
4．1．2 晶閘管結構參數和電參數間的制約關系
4．1．3 程序設計的部分重要公式
4．2 晶閘管設計軟件的界面形式
4．2．1 主界面形式
4．2．2 參數驗算功能模塊
4．2．3 結構設計功能模塊
5 功率半導體器件熱設計
5．1 功率半導體器件散熱方法
5．1．1 自然冷卻方法
5．1．2 強迫空氣冷卻方法
5．1．3 液體冷卻方法
5．2 大功率半導體器件用散熱器風冷熱阻計算
5．2．1 傳熱的基本原理和公式
5．2．2 求解散熱器熱阻和繪制熱阻曲線的軟件
5．2．3 討論
5．3 散熱器的選擇
附錄 晶閘管設計程序
參考文獻信息
1．1 電力電子技術概述
1．1．1 電力電子技術發展的背景
1．1．2 電力電子技術與其他學科的關系
1．1．3 電力電子技術的發展
1．1．4 電力電子技術的應用
1．2 功率半導體器件概述
1．2．1 半導體器件的分類
1．2．2 功率半導體器件命名規則
1．2．3 功率半導體器件的發展
1．3 功率半導體器件的研制水平及主要用途
1．3．1 電力整流管
1．3．2 普通晶閘管及其派生器件
1．3．3 全控型功率半導體器件1 功率半導體器件基礎
1．1 電力電子技術概述
1．1．1 電力電子技術發展的背景
1．1．2 電力電子技術與其他學科的關系
1．1．3 電力電子技術的發展
1．1．4 電力電子技術的應用
1．2 功率半導體器件概述
1．2．1 半導體器件的分類
1．2．2 功率半導體器件命名規則
1．2．3 功率半導體器件的發展
1．3 功率半導體器件的研制水平及主要用途
1．3．1 電力整流管
1．3．2 普通晶閘管及其派生器件
1．3．3 全控型功率半導體器件
1．3．4 復合型功率半導體器件
1．4 功率半導體器件模塊
1．4．1 晶閘管和整流二極管傳統模塊
1．4．2 晶閘管智能模塊
1．4．3 IGBT模塊
1．4．4 智能功率模塊
1．4．5 用戶專用電力模塊
1．4．6 集成電力電子模塊
1．5 功率半導體器件展望
1．5．1 功率半導體器件功率變換能力的不斷提升
1．5．2 新材料功率半導體器件
1．5．3 關于現代功率半導體器件發展趨勢的幾點看法
2 功率半導體器件工作原理、特性及主要參數
2．1 功率半導體器件的工作狀態
2．1．1 功率半導體器件的工作特征
2．1．2 功率半導體器件應用系統的組成
2．2 功率二極管
2．2．1 功率二極管的工作原理
2．2．2 功率二極管的靜態和動態特性
2．2．3 功率二極管的主要參數
2．2．4 功率二極管的類型
2．3 晶閘管
2．3．1 晶閘管的結構特點
2．3．2 晶閘管的工作原理
2．3．3 晶閘管的基本特性
2．3．4 晶閘管的基本參數
2．4 功率場效應晶體管
2．4．1 結構分類
2．4．2 工作機理
2．4．3 特性分析
2．5 IGBI、的結構及特性
2．5．1 IGBq、的基本結構
2．5．2 [GBT的工作原理
2．5．3 。IGBT的工作特性
3 功率半導體器件加工工藝
3．1 功率半導體器件加工流程
3．1．1 整流二極管基本工藝流程
3．1．2 晶閘管基本工藝流程
3．1．3 燒、蒸、堅工序流程
3．1．4 硅片清洗處理
3．1．5 各工序檢查標準
3．2 擴散工序
3．2．1 一維Fick擴散方程
3．2．2 恒定擴散系數
3．2．3 擴散系數與溫度的關系
3．2．4 擴散參數
3．3 氧化工藝
3．3．1 熱氧化原理
3．3．2 氧化層的作用
3．4 歐姆電極制備
3．4．1 鋁硅、鋁片處理
3．4．2 裝模
3．4．3 不同燒結效果產生的原因
3．5 臺面工藝
3．5．1 負角結構原理
3．5．2 臺面腐蝕
3．5．3 臺面保護
4 功率半導體器件設計
4．1 晶閘管結構設計
4．1．1 晶閘管的基本結構
4．1．2 晶閘管結構參數和電參數間的制約關系
4．1．3 程序設計的部分重要公式
4．2 晶閘管設計軟件的界面形式
4．2．1 主界面形式
4．2．2 參數驗算功能模塊
4．2．3 結構設計功能模塊
5 功率半導體器件熱設計
5．1 功率半導體器件散熱方法
5．1．1 自然冷卻方法
5．1．2 強迫空氣冷卻方法
5．1．3 液體冷卻方法
5．2 大功率半導體器件用散熱器風冷熱阻計算
5．2．1 傳熱的基本原理和公式
5．2．2 求解散熱器熱阻和繪制熱阻曲線的軟件
5．2．3 討論
5．3 散熱器的選擇
附錄 晶閘管設計程序
參考文獻信息
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