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絕緣體上硅(SOI)技術-制造及應用 版權信息
- ISBN：9787118116366
- 條形碼：9787118116366 ; 978-7-118-11636-6
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
絕緣體上硅(SOI)技術-制造及應用 本書特色
《絕緣體上硅（SOI）技術：制造及應用》的目的是對SOI CMOS新技術的進展進行全面介紹。全書分為兩部分：*部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關的各種應用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術，也包括全耗盡平面SOI技術、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應用這樣一些新發展的技術。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅（SOI）技術：制造及應用》的解決方案限定在32~14nm技術節點的范圍，并將應用限定在技術成熟到足以實現批量生產的范圍。
絕緣體上硅(SOI)技術-制造及應用 內容簡介
《絕緣體上硅（SOI）技術：制造及應用》的目的是對SOI CMOS新技術的進展進行全面介紹。全書分為兩部分：**部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關的各種應用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術，也包括全耗盡平面SOI技術、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應用這樣一些新發展的技術。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅（SOI）技術：制造及應用》的解決方案限定在32~14nm技術節點的范圍，并將應用限定在技術成熟到足以實現批量生產的范圍。
絕緣體上硅(SOI)技術-制造及應用 目錄
**部分 絕緣體上硅材料及制造
第1章 絕緣體上硅晶圓片材料及制造技術
1.1 引言
1.2 SOI的晶圓片制造技術概述
1.3 SOI量產制造技術
1.4 SOI晶圓片結構及表征
1.5 晶圓片直接鍵合：濕表面清洗技術
1.6 直接鍵合機理的表征
1.7 Si和SiO2直接鍵合的其他表面制備工藝
1.8 利用離子注入、鍵合及剝離量產SOI襯底的智能剝離技術
1.9 更復雜的SOI結構制造
1.10 異質結構的制造
1.11 結論
1.12 致謝
1.13 參考文獻
第2章 先進的絕緣體上硅材料及晶體管電學性質的表征
2.1 引言
2.2 常用的表征技術
2.3 利用贗金屬氧化物半導體場效應晶體管技術表征SOI晶圓片
2.4 贗-MOSFET技術的發展
2.5 FD MOSFET的常用表征方法
2.6 先進的FD MOSFET表征方法
2.7 超薄SOI MOSFET的表征
2.8 多柵MOSFET的表征
2.9 納米線FET的表征
2.10 結論
2.11 致謝
2.12 參考文獻
第3章 短溝FDSOI MOSFET特性的建模
3.1 引言
3.2 SOI MOSFET建模的發展
3.3 SOI MOSFET的二維緊湊電容模型
3.4 SOI MOSFET的二維解析模型
3.5 雙柵及其他類型SOI MOSFET結構的建模
3.6 參考文獻
第4章 部分耗盡絕緣體上硅技術：電路解決方案
4.1 引言
4.2 PDSOI技術與器件
4.3 電路解決方案：數字電路
4.4 電路解決方案：靜態隨機存儲器電路
4.5 SRAM容限：PDSOI的例子
4.6 結論
4.7 參考文獻
第5章 平面全耗盡絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體技術
5.1 引言
5.2 平面FDSOI技術
5.3 FDSOI的閾值調節：溝道摻雜、柵堆疊工程和接地平面
5.4 FDSOI CMOS器件對襯底的要求：BOX和溝道的厚度
5.5 FDSOI的應變選項
5.6 背偏置對特性的影響
5.7 結論
5.8 致謝
5.9 參考文獻
第6章 絕緣體上硅無結晶體管
6.1 引言
6.2 器件物理
6.3 無結晶體管的模型
6.4 同三柵場效應晶體管的性能比較
6.5 超越經典的SOI納米線結構
6.6 結論
6.7 致謝
6.8 參考文獻
第7章 SOI FinFET
7.1 引言
7.2 SOI FinFET的性能
7.3 SOI FinFlET襯底的優化
7.4 FinFET的工藝及統計波動性
7.5 結論
7.6 參考文獻
第8章 利用SOI技術制造CMOS的參數波動性
8.1 引言
8.2 平面FDSOI器件的統計參數波動
8.3 可靠性的統計問題
8.4 SOI FinFET
8.5 結論
8.6 參考文獻
第9章 SOI CMOS集成電路的ESD保護
9.1 引言
9.2 SOI器件的ESD表征：SOI晶體管
9.3 SOI器件中的ESD表征：SOI二極管
9.4 SOI器件的ESD表征：FinFET及Fin二極管
9.5 SOI器件的ESD表征：FDSOI器件
9.6 SOI器件中ESD網絡的優化
9.7 結論
9.8 參考文獻
第二部分 SOI器件及應用
第10章 射頻及模擬應用的SOI MOSFET
10.1 引言
10.2 目前的射頻器件性能
10.3 MOSFET性能的限制因素
10.4 肖特基勢壘MOSFET
10.5 超薄體超薄埋氧化層MOSFET
10.6 多柵MOSFEI、的射頻特性：FinFET
10.7 SOI技術中的高電阻率硅襯底
10.8 結論
10.9 致謝
10.10 參考文獻
第11章 超低功耗應用的SOI CMOS電路
11.1 引言
11.2 CMOS電路功耗的*小化
11.3 降低Vdd改善CMOS電路能量效率的問題
11.4 利用減小波動及適應性偏壓控制發展SOI器件
11.5 參數波動的建模
11.6 超低電壓工作的器件設計
11.7 FDSOI器件參數波動性的評估
11.8 FDSOI器件可靠性的評估
11.9 FDSOI器件的電路設計
11.10 結論
11.11 致謝
11.12 參考文獻
第12章 改善性能的3D S01集成電路
12.1 引言
12.2 利用Cu-Cu鍵合的3D IC：工藝流程
12.3 利用Cu-Cu鍵合實現3D集成：面對面的硅層堆疊
12.4 利用Cu-Cu鍵合實現3D集成：背面對正面的硅層堆疊
12.5 利用氧化硅鍵合的3D集成：MIT林肯實驗室的表面向下堆疊技術
12.6 利用氧化硅鍵合的3D集成：IBM的“面朝上”堆疊技術
12.7 利用氧化硅鍵合實現3D集成：3D后續工藝
12.8 先進的鍵合技術：Cu-Cu鍵合
12.9 先進鍵合技術：介質鍵合
12.10 結論
12.11 致謝
12.12 參考文獻
第13章 光子集成電路的SOI技術
13.1 引言
13.2 絕緣體上硅光子學
13.3 SOI光學模塊
13.4 器件容差與補償技術
13.5 用于硅光子器件的先進堆疊結構
13.6 硅光子器件的應用
13.7 結論
13.8 參考文獻
第14章 用于MEMS和NEMS傳感器的SOI技術
14.1 引言
14.2 SOI MEMS／NEMS器件結構和工作原理
14.3 SOI MEMS／NEMS設計
14.4 SOI MEMS／NEMS工藝技術
14.5 SOI MEMS／NEMS制備
14.6 結論
14.7 參考文獻
展開全部
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