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氮化鋁單晶材料生長與應用 版權信息
- ISBN：9787560662831
- 條形碼：9787560662831 ; 978-7-5606-6283-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
氮化鋁單晶材料生長與應用 內容簡介
本書以作者多年的研究成果為基礎，大量擴展和補充了該領域的*新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件的基本原理、技術工藝、*新進展及應用趨勢。全書共七章，包括氮化鋁單晶材料的基本性質、材料生長的物理基礎、材料的缺陷、物理氣相傳輸法、氫化物氣相外延法、金屬有機物化學沉積法、和氮化鋁器件應用。
氮化鋁單晶材料生長與應用 目錄
第1章 氮化鋁單晶材料的基本性質
1．1 氮化鋁的應用背景與發展現狀
1．2 氮化鋁的基本物理性質
1．3 氮化鋁的晶體結構性質
1．4 氮化鋁的光學性質與能帶結構
第2章 氮化鋁單晶材料生長的物理基礎
2．1 生長熱力學
2．1．1 相圖
2．1．2 表面能與晶體形態
2．2 生長動力學
2．2．1 過飽和度與過冷度
2．2．2 成核
2．2．3 表面動力學
第3章 氮化鋁單晶材料的缺陷
3．1 點缺陷
3．1．1 本征點缺陷
3．1．2 非本征點缺陷
3．2 位錯
3．2．1 位錯的定義和分類
3．2．2 位錯的形成
3．2．3 鏡像力與位錯的運動
3．2．4 位錯的合并規律
3．2．5 位錯攀移
3．3 層錯與晶界
第4章 物理氣相傳輸法制備氮化鋁單晶
4．1 發展歷史
4．2 物理氣相傳輸設備
4．2．1 石墨加熱爐
4．2．2 鎢加熱爐
4．3 生長機制
4．3．1 生長窗口與路徑
4．3．2 N極性生長
4．3．3 熱場優化
4．4 籽晶培養
4．4．1 選晶生長獲得AlN籽晶
4．4．2 在SiC襯底上異質外延生長獲得AlN籽晶
4．4．3 自發成核法制備自支撐AlN晶體
4．5 同質外延
第5章 氫化物氣相外延法制備氮化鋁單晶
5．1 發展歷史
5．2 氫化物氣相外延系統
5．3 預反應
5．3．1 化學反應
5．3．2 預反應影響
5．4 AlN外延膜位錯密度的降低
5．4．1 兩步法生長
5．4．2 側向外延
……
第6章 金屬有機物化學氣相沉積法制備氮化鋁單晶薄膜
第7章 氮化鋁器件應用
參考文獻
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