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氮化鎵單晶材料生長與應用 版權信息
- ISBN：9787560664668
- 條形碼：9787560664668 ; 978-7-5606-6466-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
氮化鎵單晶材料生長與應用 內容簡介
本書以作者所在團隊多年來的研究工作為基礎，并作了大量擴展和補充，呈現了該領域的*新研究成果。具體來說，本書分八章內容詳細介紹了氮化鎵單晶材料生長的基本原理、技術方法、發展現狀及應用趨勢。
氮化鎵單晶材料生長與應用 目錄
第1章 氮化鎵單晶材料概述
1．1 氮化鎵晶體結構及其極性
1．1．1 纖鋅礦結構
1．1．2 晶體極性
1．1．3 能帶結構
1．2 氮化鎵晶體缺陷
1．2．1 點缺陷
1．2．2 位錯
1．2．3 層錯
1．2．4 倒反疇界
1．3 氮化鎵材料特性
1．3．1 光學特性
1．3．2 電學特性
1．3．3 熱學特性
參考文獻
第2章 氮化鎵單晶材料生長的基本特性
2．1 生長動力學特性
2．1．1 熱力學驅動力
2．1．2 傳質輸運
2．1．3 晶體生長機制
2．1．4 晶體生長形態
2．2 位錯的產生與湮滅
2．2．1 失配位錯產生機理
2．2．2 穿透位錯
參考文獻
第3章 氮化鎵單晶制備的方法——氫化物氣相外延生長法
3．1 發展歷程
3．2 生長原理及裝備
3．2．1 基本原理
3．2．2 HVPE生長過程的研究
3．2．3 HVPE反應器的分類及研究現狀
3．3 應力及缺陷控制
3．3．1 應力控制
3．3．2 缺陷控制
3．4 摻雜技術
3．4．1 非故意摻雜
3．4．2 Si摻雜
3．4．3 Ge摻雜
3．4．4 半絕緣摻雜
3．5 氮化鎵單晶襯底分離技術
3．5．1 自分離工藝
3．5．2 激光剝離
3．6 發展趨勢
參考文獻
……
第4章 氮化鎵單晶制備的方法——氨熱法
第5章 氮化鎵單晶制備的方法——助熔劑法
第6章 氮化鎵單晶同質外延生長技術
第7章 氮化鎵單晶材料的應用——光電器件
第8章 氮化鎵單晶材料的應用——電力電子和微波射頻器件
展開全部
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