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圖解入門——半導體工程學精講 版權信息
- ISBN：9787111767398
- 條形碼：9787111767398 ; 978-7-111-76739-8
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
圖解入門——半導體工程學精講 本書特色
全面覆蓋量子力學基礎到MOSFET及界面量子化的經典議題
為非物理、電子、材料專業的工科學生學習半導體物理掃清障礙
圖解入門——半導體工程學精講 內容簡介
本書首先深入探討了量子力學基礎及其在物質、能帶理論、半導體和集成電路等領域的應用。從電子的波動性質、不確定性原理到量子隧穿效應，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導體能帶結構的解析，闡明了半導體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導體、晶格振動以及載流子輸運現象等關鍵概念。*后，探討了MOS結構、場效應晶體管以及集成電路的工作原理。本書內容豐富，結構清晰，能夠幫助讀者深入理解量子力學在半導體技術中的重要作用。 本書適合有一定物理基礎的學生和從事半導體相關工作的人員閱讀。
圖解入門——半導體工程學精講 目錄
目 錄前 言第1章 量子力學基礎 ?/? 11-1 波的表示方式 ?/? 21-2 相速度與群速度 ?/? 41-3 電子的物質波性質 ?/? 51-4 不確定性原理 ?/? 71-5 薛定諤方程式與波函數 ?/? 81-6 一維方勢阱 ?/? 111-7 自旋與泡利不相容原理 ?/? 161-8 三維方勢阱 ?/? 171-9 量子隧穿效應 ?/? 191-10 定態微擾理論 ?/? 231-11 含時微擾理論 ?/? 25目 錄前 言第1章 量子力學基礎 ?/? 11-1 波的表示方式 ?/? 21-2 相速度與群速度 ?/? 41-3 電子的物質波性質 ?/? 51-4 不確定性原理 ?/? 71-5 薛定諤方程式與波函數 ?/? 81-6 一維方勢阱 ?/? 111-7 自旋與泡利不相容原理 ?/? 161-8 三維方勢阱 ?/? 171-9 量子隧穿效應 ?/? 191-10 定態微擾理論 ?/? 231-11 含時微擾理論 ?/? 25章末問題 ?/? 27第2章 從氫原子到物質 ?/? 292-1 氫原子 ?/? 302-2 氫分子 ?/? 342-3 由s軌道或p軌道組成的物質 ?/? 37章末問題 ?/? 49第3章 能帶理論 ?/? 503-1 晶體的周期性和晶體結構 ?/? 513-2 金屬自由電子理論 ?/? 553-3 布洛赫定理 ?/? 623-4 一維空格子的電子結構 ?/? 673-5 一維晶格的帶隙 ?/? 683-6 二維和三維晶格的帶隙 ?/? 713-7 一維強關聯近似 ?/? 753-8 二維強關聯近似 ?/? 81章末問題 ?/? 85第4章 半導體的能帶結構 ?/? 864-1 強關聯近似下的能帶結構 ?/? 874-2 k?p微擾（1）：帶邊的詳細結構 ?/? 964-3 k?p微擾（2）：基于面心立方結構空格子的計算 ?/? 994-4 有效質量與運動方程 ?/? 1054-5 ?空穴 ?/? 1114-6 本征半導體載流子濃度與溫度的關系 ?/? 113章末問題 ?/? 118第5章 摻雜半導體 ?/? 1195-1 施主與受主 ?/? 1205-2 淺能級雜質中心的有效質量近似 ?/? 1245-3 被施主雜質束縛的電子的空間分布 ?/? 1295-4 摻雜半導體中載流子濃度與溫度的關系 ?/? 133章末問題 ?/? 136第6章 晶格振動 ?/? 1386-1 什么是晶格振動 ?/? 1396-2 一維單原子晶格 ?/? 1406-3 一維雙原子晶格 ?/? 1436-4 三維晶格振動 ?/? 1486-5 聲子 ?/? 1506-6 晶格比熱 ?/? 154章末問題 ?/? 157第7章 載流子輸運現象 ?/? 1587-1 歐姆定律 ?/? 1597-2 霍爾效應 ?/? 1627-3 遷移率的溫度相關性 ?/? 1657-4 玻爾茲曼方程 ?/? 1667-5 散射過程的計算 ?/? 1717-6 弛豫時間的計算 ?/? 176章末問題 ?/? 181第8章 半導體的光學性質 ?/? 1828-1 物質中的電磁波 ?/? 1838-2 帶間躍遷 ?/? 1848-3 受施主束縛電子的光激發 ?/? 193第9章 pn結 ?/? 1999-1 pn結的形成方法 ?/? 2009-2 擴散電流 ?/? 2009-3 pn結附近發生的現象 ?/? 2039-4 熱平衡狀態下的pn結能帶圖 ?/? 2079-5 連續性方程 ?/? 2109-6 正向電流 ?/? 2129-7 反向電流 ?/? 2169-8 結電容 ?/? 2189-9 pn結中的隧穿效應 ?/? 219章末問題 ?/? 222第10章 MOS結構 ?/? 22310-1 MOS結構概述 ?/? 22410-2 積累層、耗盡層和反型層中的電場分布及勢能分布 ?/? 22510-3 Si表面的電子 ?/? 23310-4 理想MOS的電容 ?/? 23710-5 非理想MOS的情況 ?/? 239章末問題 ?/? 241第11章 MOS場效應晶體管 ?/? 24211-1 MOS場效應晶體管的結構 ?/? 24311-2 MOS場效應晶體管的工作原理（1）：線性區 ?/? 24311-3 MOS場效應晶體管的工作原理（2）：一般情況下的電流-電壓特?性 ?/? 24611-4 MOS場效應晶體管的工作原理（3）：飽和區 ?/? 24811-5 遷移率 ?/? 25011-6 閾值電壓 ?/? 25311-7 亞閾值斜率 ?/? 25311-8 襯底偏壓效應 ?/? 256章末問題 ?/? 257第12章 集成電路 ?/? 25812-1 CMOS反相器的結構 ?/? 25912-2 CMOS反相器中p溝道型MOSFET的工作原理 ?/? 26012-3 CMOS反相器中p溝道型MOSFET工作原理的公式推導 ?/? 26312-4 CMOS反相器工作原理的公式推導 ?/? 26412-5 CMOS反相器的開關特性 ?/? 26612-6 等比例縮小 ?/? 268章末問題 ?/? 271第13章 界面的量子化 ?/? 27213-1 Si-MOS反型層電子的量子化 ?/? 27313-2 準二維電子系統的電子狀態 ?/? 27413-3 Si-MOS反型層的電子狀態 ?/? 28013-4 磁場下的二維電子系統和邊緣態 ?/? 28213-5 異質結 ?/? 287章末問題 ?/? 289章末問題的答案 ?/? 290
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圖解入門——半導體工程學精講 作者簡介
原明人博士(理學 )1983年畢業于東京理科大學理學部第1部應用物理學科1985年在日本東北大學理學研究科物理專業修完了博士課程前期1985年在私營企業從事半導體晶體工程和半導體器件的研究與開發工作1996年取得日本東北大學理學研究科(論文)博士學位2008年任教于東北學院大學工學部電子工學科(教授)現任教于東北學院大學工學部電氣電子工學科(教授)著作(均為共同撰寫)原明人博士(理學 )1983年畢業于東京理科大學理學部第1部應用物理學科1985年在日本東北大學理學研究科物理專業修完了博士課程前期1985年在私營企業從事半導體晶體工程和半導體器件的研究與開發工作1996年取得日本東北大學理學研究科(論文)博士學位2008年任教于東北學院大學工學部電子工學科(教授)現任教于東北學院大學工學部電氣電子工學科(教授)著作(均為共同撰寫)《超LSI技術17:器件與工藝 第7篇》(半導體研究 第38卷:工業調查會，西澤潤一編，1993年)，第9章CZ-Si晶體中輕元素雜質的行為;《超LSI技術20:器件與工藝 第10篇》(半導體研究第42卷:工業調查會，西澤潤一編，1996年)，第9章硅中的重金屬捕捉等共8本。
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