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納米構建熱電薄膜 版權信息
- ISBN：9787313234117
- 條形碼：9787313234117 ; 978-7-313-23411-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
納米構建熱電薄膜 內容簡介
隨著近年來半導體熱電材料性能提升與熱電器件效率的提升，熱電發電系統未來很有可能替代傳統瓦特時代的機械熱機，成為新一代環保高效全固態的熱能啟動發電系統。利用低維納米結構材料能大幅度提高費米能級附近的態密度，極大的提高材料熱電性能。本書以大量詳實的手的實驗數據為依據，以物理氣相沉積（PVD）蒸鍍技術制備了一系列低維超晶格熱電材料，探索不同材料種類構成、不同厚度、不同加工條件對熱電性能的影響，并建立較準確的數學模型，通過調控相關參數實現熱學電學性能可編輯，很終達到提升熱電優值（ZT）的目的。本書主要面向希望了解更多有關高性能低維材料制備的研究人員、碩士博士研究生與工程技術人員。
納米構建熱電薄膜 目錄
l 研究背景與現狀
1.1 研究背景
1.2 熱電效應及發展
1.2.1 塞貝克效應
1.2.2 熱電材料性能參數
1.2.3 Si基熱電材料研究進展
1.2.4 Sb2Te3和Bi2Te3熱電材料研究進展
1.3 周期性納米多層薄膜
1.3.1 周期性納米多層薄膜概述
1.3.2 周期性納米多層薄膜熱電性能
1.3.3 周期性納米多層薄膜熱穩定性
1.4 本章小結
2 熱電性能測試方法與裝置
2.1 薄膜熱導率的測量
2.1.1 3co法
2.1.2 TDTR法
2.2 電導率及霍爾效應測試
2.3 塞貝克系數測試
2.4 本章小結
3 Si基多層薄膜
3.1 Si/Si0175Ge0 25多層薄膜
3.1.1 薄膜制備
3.1.2 結構表征
3.1.3 薄膜熱導率
3.2 Si/SbGe0.25+Au多層薄膜
3.2 1薄膜制備
3.2.2 結構表征
3.2.3 薄膜熱導率
3.3 X(X=SbGe。25，Au，Cr，Ti)/Si多層薄膜
3.3.1 薄膜制備
3.3.2 結構表征
3.3.3 薄膜熱導率
3.4 Si/Au多層薄膜
3.4.1 薄膜制備
3.4.2 結構表征
3.4.3 薄膜熱導率
3.5 本章小結
4 Sb2Te，基多層薄膜
4.1 Au/Sb2Te3多層薄膜
4.1.1 薄膜制備
4.1.2 結構表征
4.1.3 薄膜熱導率
4.2 M(M2Au，Ag，cu，Pt，cr，Mo，W，Ta)/Sb2Te3多層薄膜
4.2.1 薄膜制備
4.2.2 結構表征
4.2.3 薄膜熱導率
4.2.4 熱導率理論分析
4.3 Cu/Sb2Te3多層薄膜
4.3.1 薄膜制備與結構分析
4.3.2 薄膜熱電性能
4.4 Aq/Sb2Te3多層薄膜
4.4.1 薄膜制備與結構分析
4.4.2 薄膜熱電性能
4.5 本章小結
5 磁控濺射法制備Sb2Te/Bi2Te，系薄膜
5.1 調控濺射功率、退火、厚度沉積Sb。Te。薄膜
5.1.1 調控濺射功率
5.1.2 調控退火過程
5.1.3 調控薄膜厚度
5.2 調控濺射功率、退火、厚度、基片溫度沉積Bi—Sb—Te
基薄膜
5.2.1 調控濺射功率
5.2.2 調控退火過程
5.2.3 調控厚度
5.2.4 調控基片溫度
5.3 磁控共濺射法制備Te/Sb2Te。異質結薄膜
5.3.1 薄膜制備與退火處理工藝
5.3.2 薄膜形貌與結構表征
5.3.3 異質結晶格應變表征
5.3.4 載流子輸運與熱電性能
5.4 磁控共濺射法制備Sb2Te3和Bi2Te3薄膜
5.4.1 薄膜制備與工藝
5.4.2 薄膜的形貌結構
5.4.3 工作氣壓與沉積速率的關系
5.4.4 工作氣壓、退火溫度與薄膜的原子數比的關系
5.4.5 Sb2Te2和Bi2Te2薄膜厚度與退火溫度的關系
5.4.6 Sb2Te3和Bi2Te3薄膜的熱電性能
5.5 本章小結
6 分子束外延法生長Sb2Te，薄膜
6.1 富Sb的Sb2Te3薄膜
6.1.1 Te、Sb的蒸發溫度對Sb2Te基薄膜化學計量比的影響
6.1.2 富Sb對Sb2Te。薄膜微結構和熱電性能的影響
6.2 定向生長Sb2Te3薄膜
6.2.1 薄膜制備
6.2.2 結構表征
6 2.3 薄膜電傳輸特性
6.3 Bi代位摻雜Sb2Te3薄膜
6.3.1 薄膜制備
6.3.2 結構表征
6.3.3 薄膜的熱電性能測試
6.4 摻Te的Sb2Te3薄膜
6.4.1 薄膜制備
6 4 2 Te納米粒子體積分數對Sb2Te。基薄膜微觀結構的影響
6.4.3 Te納米粒子體積分數對Sb2Te。基薄膜熱電性能的影響
6.5 本章小結
7分子束外延法生長Bi2Te，薄膜
7.1 交叉型Bi2Te3納米片薄膜及乙二醇熱處理對熱電性能影響的研究
7.1.1 納米片薄膜的制備與乙二醇熱處理
7.1.2 交叉型納米片薄膜形貌與結構表征
7.1.3 交叉型納米片薄膜熱電性能
7.2 平鋪型Bi2Te。納米片薄膜及乙二醇熱處理對熱電性能影響研究
7.2.1 退火處理與乙二醇熱處理
7.2.2 平鋪型納米片薄膜形貌與結構表征
7.2.3 平鋪型納米片薄膜中納米孔的特征及形成機制
7.2.4 平鋪型納米片薄膜熱電性能
7.3 本章小結
8 總結與展望
附錄1 Sl和Sb2Te，基多層薄膜熱導率
附錄2 Sb2Te2基多層薄膜熱電性能
附錄3 磁控濺射Sb2Te2/Bi2Te3基薄膜熱電性能
附錄4 分子束外延法制備Sb2T2/Bi2Te3薄膜熱電性能
重要符號列表
參考文獻
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納米構建熱電薄膜 作者簡介
胡志宇，現任上海交通大學“致遠”講席教授、微米納米加工技術國家重點實驗室主任、上海大學物理系教授、上海大學納微能源研究所所長。曾主持多項美國能源部和其他部門的研究課題,發表一百四十多篇學術論文、專題報告及特邀報告，五項國際專利（包括正在申請專利），在美國能源部、國防部、國家基金會及多個州政府和學術期刊擔任評審專家。主要研究方向是納米量級高效低污染能量轉換元器件及其應用、薄膜納米結構功能材料等。
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