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氮化鎵微波功率器件

包郵 氮化鎵微波功率器件

出版社:西安電子科技大學出版社出版時間:2023-09-01
開本: 24cm 頁數: 252頁
本類榜單:工業技術銷量榜
中 圖 價:¥79.9(7.4折) 定價  ¥108.0 登錄后可看到會員價
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氮化鎵微波功率器件 版權信息

  • ISBN:9787560668451
  • 條形碼:9787560668451 ; 978-7-5606-6845-1
  • 裝幀:一般膠版紙
  • 冊數:暫無
  • 重量:暫無
  • 所屬分類:>

氮化鎵微波功率器件 內容簡介

本書共6章,包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術、氮化鎵微波功率器件技術、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模技術、新型氮化鎵微波功率器件。

氮化鎵微波功率器件 目錄

第1章緒論 1.1背景 1.2氮化鎵材料研究進展 1.3氮化鎵微率器件研究進展 1.4氨化鎵微率器件可靠進展 參考文獻 第2章氨化物材料MOCVD生長技術 2.1 GaN材料基本特及MOCVD生長技術 2.1.1 GaN 材料的基本特 2.1.2 MOCVD方法生長GaN簡介 2.2磁控濺射AlN基板生長GaN 薄膜技術 2.2.1磁控濺射AIN特簡介 2.2.2磁控濺射AlN基板上GaN材料生長及表 征2.2.3磁控濺射AlN基板位錯機理分析 2.3微納球掩膜部分接觸式橫向外延過生長技術 2.3.1部分接觸式橫向外延過生長簡介 2.3.2微納球掩膜技術外延薄膜材料表征 2.3.3微納球掩膜技術外延機理分析 2.4斜切襯底上N面GaN材料生長技術 2.4.1 N面GaN材料簡介.. 2.4.2斜切襯底上N面GaN 材料生長 2.4.3斜切襯底上N面GaN材料位錯湮滅機理分析 2.5InGaN溝道異質結 2.5.1 InGaN溝道異質結特簡介 2.5.2 InGaN溝道異質結基本特表征 2.5.3 InGaN溝道異質結電學特分析 參考文獻 …… 第3章氨化鎵微率器件技術 制4章微率器件新型工藝 第5章微率器件建模 第6章新型氨化鎵微率器件
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